(ANSA) – ROMA, 19 GEN – E’ stato realizzato un nuovo
materiale 2D, è sottile come un atomo e può aprire le porte ad
una nuova generazione di transistor. Il nuovo materiale messo a
punto da un gruppo di ricerca internazionale guidato da Jeehwan
Kim dell’Istituto di Tecnologia del Massachusetts (Mit), e
descritto su Nature, potrebbe innovare profondamente la
produzione dei chip e far superare gli attuali limiti fisici
della miniaturizzazione dell’elettronica.
Da decenni il miglioramento dell’elettronica è legata alla
capacità dell’industria nel miniaturizzare i transistor – perché
meno spazio occupano maggiore è il numero di transistor che è
possibile installare in un singolo chip e, quindi, avere
dispositivi più potenti. Ma da qualche anno le dimensioni dei
transistor hanno raggiunto dimensioni tali che una ulteriore
riduzione diventa via via più difficile e dispendiosa e si è
ormai vicinissimi a raggiungere degli insuperabili limiti
fisici. Una soluzione per aprire nuove possibilità di
miniaturizzazione potrebbe arrivare dai materiali 2D, ossia
materiali ultrasottili (spessi appena un atomo) come ad esempio
il grafene, ma finora il loro utilizzo a livello industriale è
stato limitato dalla difficoltà di poterne scalare la produzione
in modo economico. Problemi che potrebbero ora essere stati
superati dai ricercatori del Mit. Il nuovo materiale 2D,
spiegano gli ideatori, può essere fatto ‘crescere’ direttamente
sui wafer di silicio o di zaffiro (le ‘tortiere’ usate
normalmente per creare i chip) adagiando prima un sottilissimo
velo di biossido di silicio, che ha la funzione di creare una
sorta di griglia di coltura. E successivamente vaporizzando
degli atomi che andranno a disporsi autonomamente a formare un
materiale 2D detto Tmd (Dicalcogenuri di Metalli di
Transizione). Una innovazione che apre la possibilità di
innovare profondamente la produzione dei transistor e spingere,
quindi, molto più avanti i limiti della miniaturizzazione.
(ANSA).
Fonte Ansa.it